在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

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光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

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为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

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在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

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在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

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树脂使用过程中需保持一定温度，阳树脂和阴树脂分别不能高于（）度，使用温度不能过低，低于0度会使树脂冻裂。

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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

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铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

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