在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

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如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

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在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

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当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

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He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

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在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

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干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

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在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

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