半导体中受主能级的位置位于（）中。
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计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。
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磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量mp*=0.86m0，m0为电子的惯性质量，求 ①受主杂质电离能； ②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
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SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
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77K时，锗的电子浓度为1017cm-3，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ND为多少？
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当电子由K能级转移到L能级时，伴随发生什么现象？（）
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费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。
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半导体的附加能级使其电子脱出功减小，Ef 能级升高。
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