步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。

典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？

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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。

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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

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光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

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光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。

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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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安全生产目标管理的三个基本阶段是（）。

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光刻加工技术的基本过程通常包括哪些步骤？

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