如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
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曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低？
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光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
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