有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

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