集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

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在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？

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一次性堵件的制造工艺有两种，分别是（）。

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简述先进制造工艺发展与特点。有哪几类零件成形方法？各自有哪些工艺内容？

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机械制造装备包括加工装备、工艺装备、仓储输送装备和（）四大类。

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机械制造装备包括（）、工艺装备、仓储输送装备和辅助装备四大类。

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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

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常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。

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