集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

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集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。

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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

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暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。

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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。

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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

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在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

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不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。

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