APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。

所有的表面都是平面的基本体称为（）体，通常它有（）两种；至少有一个表面是曲面的基本体称为（）体，通常它有（）三种；

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通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）

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为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？

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多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。

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快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。

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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

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在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。

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与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。

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