通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）

绒面结构及作用；单晶硅片和多晶硅片表面制作绒面结构所用的腐蚀剂及提高绒面结构质量采用的措施。

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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。

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单晶硅硅片的制造过程？

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将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。

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单晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅棒（）（）太阳电池组件；多晶硅太阳能电池组件的生产流程：（）硅碇（）硅片太阳电池太阳电池组件。

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硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

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表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。

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APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。

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食品级酶制剂通常含有其它的杂酶。

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