A晶圆顶层的保护层
B多层金属的介质层
C多晶硅与金属之间的绝缘层
D掺杂阻挡层
E晶圆片上器件之间的隔离
钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质。
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如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是:()。
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用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料,是形成电极的()。
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当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间()。
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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。
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下列物质中是结晶形态二氧化硅的有()。
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He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10-13cm2/s,这些元素称为()。
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在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。
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二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。
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