CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
简答题查看答案
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
简答题查看答案
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
简答题查看答案
有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
简答题查看答案
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
单选题查看答案
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
判断题查看答案
下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
简答题查看答案
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
填空题查看答案
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
简答题查看答案