热扩散掺杂的工艺可以一步实现。
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
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实现快速烧成可以采取哪些工艺措施？
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集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
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为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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裁剪工程一般要经过哪些过程以及重点工艺是什么？
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实现煤气化联合循环发电（IGCC）工艺有哪些优点。
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