热扩散掺杂的工艺可以一步实现。

实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。

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经过哪些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。

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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

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集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。

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集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

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为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。

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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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