在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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列出并描述I线光刻胶的4种成分。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
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请给出紫外线光固化胶的组成及固化机理。
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不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
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