将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。

通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）

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暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。

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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

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单晶硅硅片的制造过程？

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刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

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常减压蒸馏是通过加热、汽化、分离、冷凝和冷却等过程，使液体混合物（原油）中不同沸点的各馏分分离，切割成轻重不同的馏分。

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立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。

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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

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不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。

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