简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
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简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
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简述BOE(或BHF)刻蚀SiO2的原理。
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以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
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半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。
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半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为()半导体、()半导体、固溶半导体三大类。
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采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
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对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。
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液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。()
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