简述杂质在SiO₂的存在形式及如何调节SiO₂的物理性质。

热氧化层中可能存在各种杂质，某些最常见的杂质是与水有关的化合物，其结构如图所示。如果氧化层在生长中有水存在，一种可能发生的反应是一个氧桥还原为两个氢氧基。Si：O：Si→Si：O：H+H：O：Si网络构成者——一些杂质会被有意掺入热淀积SiO₂中，用来改善它的物理性质和电学特性，例如硼、磷，称为网络构成者，它们可以调节有氧桥和无氧桥的比例，使得SiO₂的强度上升或者下降。当B替代Si之后，顶角上的四个O只有三个O可以同B形成共价键，剩余的一个O因无法与中心的B形成共价键，而变成了非桥键O，因此SiO₂网络中非桥键O增加，强度下降。当P替代Si之后，与原有的四个O形成共价键，还多余一个价电子，这个多余的价电子还可以与近邻的一个非桥键O形成桥键O，因此SiO₂网络强度增加。网络改变者——存在于SiO₂网络间隙的杂质为网络改变者。一般以离子形式存在，离子半径较大，替代硅的可能性很小。例如Na、K、Pb、Ba等都是网络改变者。网络改变者往往以氧化物形式进入SiO₂中。进入网络之后便离化，并把氧离子交给SiO₂网络。Na2O+ΞSi_-O_-SiΞ→Si–O^-+Osup>—+网络中氧的增加，使非桥键氧的浓度增大，SiO₂网络的强度减弱。

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