简述BOE（或BHF）刻蚀SiO₂的原理。

二氧化硅腐蚀 最常见的湿法腐蚀工艺之一是在稀释的HF溶剂中进行的SiO₂湿法腐蚀法。常用腐蚀液配比是6：1，10：1，50：1，意味着6份，10份或50份（体积）的水于一份HF混合。发生的总反应如下：SiO₂+6HF→H_2SiO6+2H₂O实际反应时，是腐蚀液中的HF发生电离产生氢离子和氟离子HF←→H⁺+F⁻ 六个F⁻与二氧化硅中的一个Si⁺₄结合生成负二价的六氟硅酸根络离子[（SiF₆）2-]，它与两个H⁺结合，生成六氟硅酸（H₂SIF₆）。 显然反应速率与𝐅⁻和𝑯⁺+的浓度有关，因此在腐蚀过程中通常加入氟化铵（𝐍𝐇₄𝐅）作为缓冲剂，𝐍𝐇₄𝐅能够电离生成𝐅⁻以补充随着反应推进而逐渐减少的𝐅⁻数量，并使HF电离平衡向左移动，调节溶液的PH值，以减轻腐蚀液对光刻胶的腐蚀作用。加入𝐍𝐇₄𝐅的HF溶液称为BOE（bufferedoxideetching）或BHF（bufferedHF.。

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