采用CF₄作为气体源对SiO₂进行刻蚀，在进气中分别加入O₂或H₂对刻蚀速率有什么影响？随着O₂或H₂进气量的增加，对Si和SiO₂刻蚀选择性怎样变化？为什么？

加入少量的氧气能够提高Si和SiO₂的刻蚀速率。 加入少量的氢气可以导致Si和SiO₂的刻蚀速率减慢。 原理：氧气与碳原子反应生成CO和CO₂，因此从等离子体中去掉了一些碳，从而增加了氟的浓度。这些等离子体称为富氟等离子体。 氧添加之后对Si的刻蚀速率提升比SiO₂的刻蚀要快。 当氧添加含量超过一定值后，二者的刻蚀速率开始下降，是因为气相的氟原子再结合形成氟分子使得自由氟原子减少的缘故。另一方面二者的选择比也会急剧下降，因为吸附在硅表面的氧原子和氧分子会使得硅表现得更像二氧化硅。 往等离子体中加入氢，氢会与氟反应，一方面减少了氟离子的浓度，降低了刻蚀速率。另一方面形成富碳等离子体，过量碳会导致非挥发性的物质累积在侧壁表面，阻滞横向刻蚀的发生。 往CF₄等离子体中加入少量的H₂将导致硅和二氧化硅的刻蚀速率同时减慢。在中等的H₂浓度下，H和F反应生成HF，HF刻蚀SiO₂但并不刻蚀Si。同时，各向异性的不挥发性碳氟化合物薄膜的淀积过程得到增强。另一方面，SiO₂表面反应生成的CO和CO₂可以从系统中抽去，在Si表面确没有这些反应。因此，随着H₂的加入，刻蚀SiO₂和Si的选择比会急剧上升。

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