危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

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半导体硅常用的施主杂质是（）。

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半导体硅常用的受主杂质是（）。

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化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

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沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。

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为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

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在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。

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在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

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