沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。

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沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。

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在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。

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解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。

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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

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大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。

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用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料，是形成电极的（）。

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哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

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晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。

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