哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

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下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

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下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。

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对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

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沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

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试叙述老化筛选的原理，作用及方法。“电解电容器在使用前经过一年的存储时间，就可以达到自然老化”，这句话对吗？

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当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。

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当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。

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在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

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