光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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光学光刻技术的改进有哪些方面？
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负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？
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什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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