ALVD
BPED
CCVD
DPVD
物理气相沉积简称()。
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()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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静电释放的英文简述为()。
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薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
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()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括()。
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()方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
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()是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。
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