ALVD
BPED
CCVD
DPVD
化学气相沉积的英文名称的缩写为()。
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()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
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刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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薄膜沉积的机构包括那些步骤()。
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()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。
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请在下列选项中选出硅化金属的英文简称:()。
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薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括()。
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请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称:()。
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()方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。
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