A锡
B硫
C硼
D磷
下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
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化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是()。
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半导体硅常用的受主杂质是()。
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危害半导体工艺的典型金属杂质是()。
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二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。
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表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
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在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。
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硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是()。
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