AOxide
BNitride
CSilicide
DPolycide
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称:()。
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有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。
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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
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单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
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铜互连金属多层布线中,磨料的粒径一般为()。
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化学气相沉积的英文名称的缩写为()。
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静电释放的英文简述为()。
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物理气相沉积简称()。
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