热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

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硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。

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目前，国产晶体硅的电池的效率在（）左右，国外同类产品在（）左右。

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