硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

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硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。

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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。

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热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。

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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。

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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

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变换法求解围护结构的不稳定传热过程，需要经历三个步骤：（）、（）和把对单元扰量的响应进行叠加和叠加积分求和。

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