A对
B错
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
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硅中的杂质只有一部分被真正激活,并提供用于导电的电子或空穴(大约3%~5%),大多数杂质仍然处在间隙位置,没有被电学激活。
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扩散率越大,杂质在硅片中的移动速度就越大。
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热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?
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变换法求解围护结构的不稳定传热过程,需要经历三个步骤:()、()和把对单元扰量的响应进行叠加和叠加积分求和。
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