降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。

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我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。

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（）的方法有利于减少热预算。

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由于水中阴阳离子都有导电能力，所以水的（）越高，水中离子数就越少。

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哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

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人类的职业道德真正形成于（）。

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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

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