列出并描述两种主要的光刻胶。

列出并描述I线光刻胶的4种成分。

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光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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给出硅片制造中光刻胶的两种目的。

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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

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列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。

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光刻胶

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