当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。

当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。

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哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。

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在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。

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为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。

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一般用（）测量注入的剂量。

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损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。

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下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

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降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。

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（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

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