典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

涂胶→前烘→对准与曝光→曝光后烘烤→显影→坚膜→显影检查
前烘，softbake目的：蒸发光刻胶中的溶剂溶剂能使涂覆的光刻胶更薄，但吸收热量且影响光刻胶的黏附性过多的烘烤使光刻胶聚合，感光灵敏度变差烘烤不够影响黏附性和曝光。对准：预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准通过对准标志，位于切割槽上。另外层间对准，即套刻精度，保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光中最重要的两个参数：曝光能量（Energy）焦距（Focus）如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围曝光后烘烤（post-exposurebakE.作用：①减少驻波效应；②激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影。显影：①显影液溶剂溶解掉光刻胶中软化部分；②从掩膜版转移图形到光刻胶上三个基本步骤：显影、漂洗、干燥坚膜，hardbake作用：①完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂；②提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力；③进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性；④减少驻波效应图形检测检测要点
对准问题：重叠和错位，掩膜旋转，圆片旋转，X方向错位，Y方向错位临界尺寸表面不规则：划痕、针孔、瑕疵和污染物

略