光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

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金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）

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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

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典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

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光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

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简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

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浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。

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什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？

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简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

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