在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。

集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

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在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

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干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。

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刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

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列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么？

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刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。

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各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

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