各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。

描述各同向性和各向异性刻蚀剖面，以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的？

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刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

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销被横向剖切时（）剖面线，沿轴线剖切时（）剖面线。

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在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。

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硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。

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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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荷载横向分布影响线的计算方法主要有：（）、偏心压力法、铰接板法、比拟正交异性板法。

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有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

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晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

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