金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。()
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说明SiO2的结构和性质,并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行()扩散。
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将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为()曝光。
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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。()
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光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()
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以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
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离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
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