当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

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在酸性浆料中，最常使用的氧化剂为（）。

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光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

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（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

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干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

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二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。

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二氧化硅膜的质量要求有（）。

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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。

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