电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。

（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

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不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。

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离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。

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离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。

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有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

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离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。

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干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。

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硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

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（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

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