离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。

离子束的引出系统的间接引出系统中，阳极和插入电极之间形成一个离子密度较（）的等离子体。

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离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子，并通过一个引出系统形成离子束。

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（）的气体源中一般包含H+，C+，B+，Cl+，O+等离子。

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离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。

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钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。

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（）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

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下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。

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下列可作为磷扩散源的是（）。

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在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

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