简述离子注入工艺中退火的主要作用？
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离子注入后为何退火？
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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
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离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。
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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
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