常规集成电路平面制造工艺主要由()、()、()、()、()等工艺手段组成。
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双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
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集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
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集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
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在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?
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简述多层印制电路基板制造工艺?
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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括:()和()。
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