判断题

集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。

A

B

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题
  • 在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

    判断题查看答案

  • 在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。

    判断题查看答案

  • 常规集成电路平面制造工艺主要由()、()、()、()、()等工艺手段组成。

    填空题查看答案

  • 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

    判断题查看答案

  • 集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。

    填空题查看答案

  • 双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。

    判断题查看答案

  • 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、()、封装等工序。

    填空题查看答案

  • 简述多层印制电路基板制造工艺?

    简答题查看答案

  • 在双极集成电路制造中,为什么要采用外延和埋层工艺?

    简答题查看答案